ამორფული სილიციუმი (a-Si) არის სილიციუმის არაკრისტალური ფორმა, რომელიც გამოიყენება მზის უჯრედებისთვის და თხელი ფირის ტრანზისტორებისთვის LCD-ებში. გამოიყენება, როგორც ნახევარგამტარული მასალა a-Si მზის უჯრედებისთვის, ან თხელი ფენის სილიკონის მზის უჯრედებისთვის, ის დეპონირდება თხელ ფენებად სხვადასხვა მოქნილ სუბსტრატებზე, როგორიცაა მინა, ლითონი და პლასტმასი.
რატომ აქვს ამორფულ სილიკონზე დაფუძნებულ მზის ელემენტს ნაკლები ეფექტურობა?
ჰიდროგენირებული ამორფული სილიციუმი (a-Si:H) ეფექტურად გამოიყენებოდა როგორც ფოტოაქტიური და დოპირებული ფენები საკმაოდ დიდი ხნის განმავლობაში თხელი ფენით მზის აპლიკაციებში, მაგრამ მისი ენერგიის გარდაქმნის ეფექტურობა არის შეზღუდული თხელი შთანთქმის გამო. ფენისა და სინათლის დეგრადაციის პრობლემა.
რატომ იყენებს ამორფული სილიკონის მზის ელემენტი ქინძის სტრუქტურას მუხტის გასაყოფად?
ამორფული სილიკონის მზის უჯრედებს აქვთ ენერგიის გარდაქმნის ეფექტურობა ~12% ყველაზე რთული სტრუქტურებისთვის. … ამის ნაცვლად, ამორფული სილიკონის უჯრედები იყენებენ ქინძის სტრუქტურებს, სადაც i-ფენა ეფექტურად იშლება და უზრუნველყოფს გაფართოებულ ელექტრულ ველს p-i და i-n შეერთებებს შორის..
როგორ ამზადებთ ამორფულ სილიკონს?
ამორფული სილიკონის პანელები წარმოიქმნება სილიკონის მასალის თხელი ფენის ორთქლის დეპონირების შედეგად - დაახლოებით 1 მიკრომეტრის სისქის - სუბსტრატის მასალაზე, როგორიცაა მინა ან ლითონი. ამორფული სილიციუმი ასევე შეიძლება დეპონირებული იყოს ძალიან დაბალ ტემპერატურაზე, 75 გრადუს ცელსიუსამდე, რაც იძლევა პლასტმასზე დეპონირების საშუალებასაც.
რატომ არისგამოყენებულია ამორფული სილიციუმი?
ამორფული სილიციუმი (a-Si) არის სილიციუმის არაკრისტალური ფორმა, რომელიც გამოიყენება მზის უჯრედებისთვის და თხელი ფენიანი ტრანზისტორებისთვის LCD-ებში. გამოიყენება, როგორც ნახევარგამტარული მასალა a-Si მზის უჯრედებისთვის, ან თხელი ფენის სილიკონის მზის უჯრედებისთვის, ის დეპონირდება თხელ ფენებად სხვადასხვა მოქნილ სუბსტრატებზე, როგორიცაა მინა, ლითონი და პლასტმასი.
