ზოგადი გამოხატულება ზღურბლქვეშა დახრილობის ქვეზღურბლის დახრილობისთვის ქვეზღვრული დახრილობა არის MOSFET-ის დენი-ძაბვის მახასიათებლის მახასიათებელი. ზღურბლქვეშა რეგიონში, სადრენაჟო დენის ქცევა - თუმცა კონტროლდება კარიბჭის ტერმინალის მიერ - მსგავსია წინა მიკერძოებული დიოდის ექსპონენტურად კლებადი დენისა. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope
ქვეზღვრული დახრილობა - ვიკიპედია
(სვინგი) არის S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. ან ზემოაღნიშნული ნახაზიდან, ძალიან დაბალ Vgs-ზე, აიღეთ Ids-ის log მნიშვნელობების წარმოებული Vgs-თან მიმართებაში და შემდეგ შეცვალეთ მიღებული მნიშვნელობა.
რა იგულისხმება ზღურბლის რყევაში?
ქვეზღურბლის რხევა განისაზღვრება როგორც კარიბჭის ძაბვა საჭირო . შესაცვლელად გადინების დენი სიდიდის ერთი რიგით, ერთი . ათწლეული. MOSFET-ში ზღურბლის რხევა შეზღუდულია. (kT/q) ln10-მდე ან 60 mV/dec-მდე ოთახის ტემპერატურაზე და თან.
რა არის ქვეზღვრული დახრის ფაქტორი?
ქვეზღურბლის დახრილობა არის ა MOSFET-ის მიმდინარე-ძაბვის მახასიათებლის მახასიათებელი. … დეკ (ათწლეული) შეესაბამება გადინების დენის 10-ჯერ ზრდას ID. მოწყობილობა, რომელიც ხასიათდება ციცაბო ზღურბლის დახრილობით, აჩვენებს უფრო სწრაფ გადასვლას გამორთვის (დაბალი დენი) და ჩართული (მაღალი დენი) მდგომარეობას შორის.
რა მნიშვნელობა აქვს ზღურბლის რყევას?
ქვეზღურბლის რხევა არის მნიშვნელოვანი პარამეტრისუსტი ინვერსიის რეჟიმის მოდელირება, განსაკუთრებით მაღალი ანალოგური აპლიკაციებისთვის, გამოსახულების სქემებისთვის და დაბალი ძაბვის აპლიკაციებისთვის.
როგორ იცვლება ზღვრული დენი კარიბჭის ძაბვის მიხედვით?
ეს შემცირება ნიშნავს კარიბჭის ძაბვის ნაკლებ რყევას ზღურბლზე ქვემოთ მოწყობილობის გამორთვისთვის, და რადგან ზღურბლის გამტარობა ექსპონენციალურად იცვლება კარიბჭის ძაბვის მიხედვით (იხ. MOSFET: Cut-off Mode), ეს უფრო და უფრო მნიშვნელოვანი ხდება, როგორც MOSFET-ების შემცირებაზომით.
